发布时间:2025-02-26
点击次数: 英诺赛科宣布推出新产品 inn100ea035a,这是一款 100v gan 功率器件,采用先进的双冷却 en-fclga 封装,与传统的单冷却封装相比,导热率高出 65%。改进的热性能降低了工作温度并提高了效率,从而实现更高的功率密度,使其成为 ai 服务器 48v dc-dc 电源传输的理想选择。
INN100EA035A 及En-FCLGA封装产品
INN100EA035A 是一款100V E-Mode氮化镓产品,采用En-FCLGA3.3X3.3封装,Rdson_Max 3.5mohm,
双面散热,且具有低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及零反向恢复电荷等特点,这一特性对于效率要求极高的AI和48V电源应用尤为重要。与传统的MOSFET方案相比,该器件的功率密度提升20%;与业界最先进的MOSFET相比,系统功率损耗可降低大于35%。
产品系列
由于其性能和特性,INN100EA035A 被设计用于 AI GPU 电源输送和多种其他 48V 应用。英诺赛科还发布了基于该技术的产品系列,采用 Dual-Cool 封装,Rdson(Max25C)范围从 1.8mohm 到 7mohm,底部源极占位面积与漏极占位面积相匹配,可轻松用高性能低成本 GaN 解决方案取代传统的 Si MOSFET 解决方案。
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En-FCLGA3.3X3.3 P2P Source down MOS

En-FCLGA 5X6 P2P Drain down MOS


INN100EA035A规格书首页
卓越性能
超低导通电阻,能量损耗大幅降低
超低驱动和开关损耗,减少系统能耗,提高系统响应速度
MedPeer科研绘图
生物医学领域的专业绘图解决方案,告别复杂绘图,专注科研创新
166
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紧凑size,在空间有限的应用场景中具有极大优势
双面散热,提高散热效率,有效提升系统的可靠性和稳定性
应用优势
PCB Layout友好,垂直电流路径设计,最小化PCB寄生电阻
系统功率损耗降低大于35%,与业界最先进的MOSFET相比,功率损耗降低大于35%
功率密度提升20%,与传统MOSFET方案相比,该器件功率密度提升20%
应用领域
AI与48V电源领域
这款全新的功率氮化镓器件凭借其业界首创的技术、卓越的性能以及显著的系统应用优势,必将在AI和48V电源领域掀起一场技术革命。我们相信,它将为客户带来更高的价值,推动行业的不断发展和进步,开启AI和48V电源领域的新篇章!
若想进一步了解产品详情,点击此处。
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